第13回 PDEAパワーデバイスセミナー

SiC搭載における冷却設備および熱対策

日時: 2017年10月27日　13:00～18:30
会場: 大阪ナレッジキャピタル（グランフロント大阪Tower B10F）
主催: パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛: （株）アドバンテスト
後援: 東京大学VDEC
ナノテスティング学会（※予定）
日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
日本半導体製造装置協会（SEAJ）（※予定）
システム・インテグレーション（株）
特別協力: （株）産業タイムズ社
参加費: 10,000円+税／1名（テキスト代、名刺交換会費含む）
定員: 60名　※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。

企画趣旨

次世代のパワーデバイスとして注目を集め、鉄道や自動車、家電などで実用化が進み始めたSiCパワーデバイスですが、課題も数多く残されています。その一つが「熱」です。SiCパワーデバイスは、動作温度が約150℃のSiパワーデバイスよりも高温の、200℃以上での動作が可能です。
そのため、SiCパワーモジュールを設計・製造する場合、損失を低減するために最適な熱設計を考慮する必要があります。特に今後は、自動車への搭載を睨んだ熱設計が重要となります。また、SiC動作温度200℃以上に対応した高耐熱の実装材料も必須となっていきます。
SiCパワーモジュールの熱対策の最新動向を探る絶好の機会となりますので、ぜひご参加いただき、今後の事業戦略構築にお役立てください。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

【講演】 SiC搭載にともなう自動車冷却システムと熱設計に関する考察 13:05-14:05: 講師

（株）サーマルデザインラボ
代表取締役　国峯尚樹氏

【講演】高耐熱実装材料の開発動向 14:05-15:05: 講師

大阪大学　産業科学研究所　教授　菅沼克昭氏

【講演】パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内 15:05-15:15: 講師

一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会

【講演】高耐熱SiCモジュールの最新動向 15:30-16:30: 講師

三菱電機（株）
パワーデバイス製作所　応用技術部　応用技術第一課長　松岡徹氏

【パネルディスカッション】 SiC搭載における冷却設備と熱対策 16:30-17:30: 講師

【モデレーター】
システム・インテグレーション（株）　代表取締役　多喜義彦氏

【パネラー】
（株）サーマルデザインラボ　代表取締役　国峯尚樹氏
大阪大学　産業科学研究所　教授　菅沼克昭氏
三菱電機（株）パワーデバイス製作所　応用技術部　応用技術第一課長　松岡徹氏

名刺交換会 17:30-18:30